英特尔代工携手 ASML 完成首台“二代”High NA EUV 光刻机验收测试

相较主要用于工艺前期研发的“一代”机型EXE:5000，EXE:5200B身上的“量产用设备”味道更浓：其配备了更高功率/剂量的EUV光源，晶圆吞吐量提升到每小时175块；套刻精度提升至0.7nm；此外通过新的晶圆存储结构提升了整体效果的稳定性。英特尔代工还在同一篇博客中提到，在2025IEEEIEDM上，其与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀以及在12英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。